ECOC 2025 技術焦點:東京工業大學展示 2.88 Tbps 16 通道 VCSEL 陣列與多核心光纖共封裝光學
- drshawnchang
- 10月1日
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前言
隨著 AI 與雲端資料中心的高速擴張,傳統 銅連接 與 短距離多模光纖 已無法滿足規模化需求。為了縮小 交換 ASIC 帶寬與光模組距離限制之間的鴻溝,共封裝光學(CPO, Co-Packaged Optics)被視為下一代資料中心的關鍵技術。
在 ECOC 2025 上,東京工業大學團隊展示了 全球首個 2.88 Tbps 16 通道 VCSEL 陣列結合多核心光纖的成果,為高密度、低功耗、高速傳輸提供了全新解法。
內容
1. 研究背景與動機
現有挑戰:
850 nm VCSEL 在 <100m 應用中成熟,但無法應付 AI 資料中心日益增加的距離與速率需求。
隨著速率升級(800G → 1.6T → 3.2T),傳輸損耗與色散嚴重限制了 850 nm PAM4 的應用範圍。
解決方案:
採用 1060 nm VCSEL,在單模光纖中具備更低色散,甚至因「脈衝壓縮 (pulse compression)」效應可提升頻寬。
搭配 多核心光纖 (MCF),實現高通道密度的並行傳輸。
2. 技術突破:16 通道 1060 nm VCSEL 陣列
設計特色:
單模輸出,避免多模失真。
採用 金屬孔徑 (metal-aperture) 設計,利用耦合效應提升調變頻寬。
頂發射結構 (Top-Emitting):避免翻晶封裝,降低成本並簡化測試。
效能數據:
調變頻寬:29 GHz(回傳測試),經過 500m 光纖後提升至 34 GHz。
輸出光功率:單通道 >2.5 mW。
SMSR(邊模抑制比):>30 dB,確保單模輸出。
3. 傳輸實驗成果
1.6 Tbps 實驗:
16 × 100 Gbps PAM4,500m 多核心光纖傳輸。
Extinction ratio:2.2 dB。
2.88 Tbps 突破:
16 × 180 Gbps(108 Gbaud)傳輸,500m 多核心光纖。
Extinction ratio:2.0 dB,TDECQ(眼圖質量)= 4.2 dB。
全球首次展示,證明 VCSEL 在 Tbps 級應用的可行性。
4. 與多核心光纖 (MCF) 的結合
光纖規格:
16 cores,核心間距 40 µm。
直接耦合至 VCSEL 陣列,無需 collimation。
耦合損耗:
典型值 <3 dB。
優化後可降至 1.7 dB。
5. 未來展望
速率提升:
PAM-4 → 200 Gbps/channel。
PAM-6 → 300 Gbps/channel。
PAM-8 → 400 Gbps/channel。
容量規劃:
單模組可達 6.4 Tbps(16 × 400 Gbps)。
甚至有望擴展至 12.8 Tbps。
應用前景:
CPO 與 Switch ASIC 整合,降低能耗與距離限制。
AI 資料中心內短距離傳輸,取代 850 nm VCSEL 成為新主流。
總結
東京工業大學的研究展示了 VCSEL 技術在 1060 nm、單模光纖、多核心光纖結合下的潛力:
突破速率與距離限制:成功在 500m 傳輸距離實現 2.88 Tbps。
設計創新:金屬孔徑結構 + 頂發射架構,兼具高頻寬與低成本。
應用價值:對 CPO 與 AI 資料中心短距離光連接具有重大意義。
未來發展:有望進一步提升至 12.8 Tbps 級別,為下一代資料中心帶來超高密度、低功耗的解決方案。
這項成果顯示,VCSEL 技術不僅能延續在短距離應用中的優勢,更可能在 CPO 與多核心光纖結合下進軍 Tbps 時代。





















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